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晶圆激光改质切割设备

本设备针对8英寸及以上芯片封测厂,应用于半导体行业硅基晶圆激光改质切割。


  • 重复定位精度
    ±1μm
  • 加工头
    自制准直头
  • 晶圆尺寸
    8 inch(可兼容12inch)
产品优势
  • 01
    加工质量高

    表面无损伤,无切缝,崩边极小(≤2μm),边沿蜿蜒小(<3μm)


  • 02
    加工效率高

    可采用多焦点改质模式,成倍提高切割效率


  • 03
    加工稳定性好

    激光器平均功率稳定性高(≤±3% over 24 hours),光束质量高(M² <1.5) 


技术参数
内容主要技术参数
激光器参数中心波长定制红外波长
加工头自制准直头
加工性能有效工作行程300×400mm(选配)
重复定位精度± 1 μm
视觉定位自动视觉定位
加工方式逐层改质、单点/多点加工方式
其他晶圆尺寸8 inch(可兼容12inch)
工艺流程激光改质切割— 扩膜
加工对象MEMS芯片 、硅基生物芯片 、硅麦芯片、CMOS芯片等 


样品展示
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